来源: 最后更新:22-10-14 02:53:19
低位交叉存储器能并行是因为采用流水线的方式并行存取。交叉存储器,又称低位交叉编址,是一种模块式的存储器,能并行执行多个独立的读、写操作。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大的区别,因此在描述上也有所不同。存储器是许多存储单元的集合,按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位构成,以表示存储单元中存放的数值,这种结构和数组的结构非常相似,故在VHDL语言中,通常由数组描述存储器。
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